IGBT 50GAL123D module de puissance et thyristor électronique

Analyse technique du module 50GAL123D

Le segment de l'électronique lourde requiert l'usage de commutateurs statiques capables de supporter des contraintes sévères. Le Module de puissance IGBT 50GAL123D associe la rapidité de commutation du transistor à effet de champ à la forte capacité en courant du thyristor.

Propriétés structurelles du composant

Le boîtier externe est injecté dans un polymère thermo-résistant de haute densité qui prévient les arcs électriques entre les terminaux, assurant la sécurité de l'opérateur et du matériel environnant.

Paramètres nominaux du constructeur

• Référence produit : 50GAL123D
• Type d'intégration : Hybride IGBT / Diode / Thyristor
• Matériau de la semelle : Cuivre nickelé
• Indice d'isolation : Haute tension

Composants électroniques pour l'intégration d'armoires

Que ce soit pour assembler un nouveau prototype de conversion d'énergie ou pour restaurer un redresseur de puissance, ce module garantit une linéarité exemplaire dans le traitement des signaux électriques de forte intensité.